上 短チャネル効果 原理 183107-短チャネル効果 原理
ト電極―チャネル間距離（hemtの場合 主として障壁層の厚み）の比に相当する アスペクト比を高く保つことであります。つ まり、障壁層厚をゲート長短縮に伴い薄く していくことでショートチャネル効果を軽減 することができます。しかしドーピングではなチャネル長変調効果 ピンチオフ点よりもドレイン側では完全に空乏化している。 この空乏層はドレイン電圧が高くなると伸びて、 ピンチオフ点をソース側に押しやる。 したがって、実効的なチャネル長が短くなり、電流を増加させる。チャネル不純物量を増やすことができる。低しきい値化 と短チャネル効果抑制を両立できる。この斜めチャネル 注入プロセスで試作を行ったpmosfetのオン電流とオ フ電流の関係を図2に示す。短チャネル効果を十分に抑(3) 産総研 32ナノ世代lsi用ひずみ構造のn型トランジスタを開発 短チャネル効果 原理